

计算机组成与体系结构
数字电路设计
基础
莱布尼茨:二进制
布尔:布尔代数(两个元素(真、假);三种运算(与、或、非))
香农:开关电路:模拟布尔逻辑运算,形成现代电子计算机的基本思路
晶体管与门电路
现代集成电路通常使用MOS晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor)
CMOS集成电路(Complementary MOS):由PMOS和NMOS共同构成的互补型MOS集成电路
NMOS晶体管:Gate为高电压时导通
PMOS晶体管:Gate为低电压时导通
非门
与门
或门
异或门
运算的实现
例:

其他运算同理
半加器
全加器
减法运算的实现:
A-B=A+(~B+1)
多路选择器
时钟和触发器
D触发器(D flip-flop,DFF)
具有存储信息能力的基本单元
由若干逻辑门构成,有多种实现方式
主要有一个数据输入,一个数据输出和一个时钟输入
在时钟clock的上升沿(0->1),采样输入D的值,传送到输出Q,其余时间输出Q的值不变。
D锁存器:
SRAM
基本存储单元(1 bit):
写入过程:
读出过程:
加法器,减法器,乘法器与除法器
加法器:
行波进位加法器
多个串联,低位连接高位
优点:布局简单,设计方便
缺点:必须等待低位运算完成,延迟时间长
门延迟:通过一次门电路计为1
关键路径:延迟最长的路径
优化:
由 提前计算进位信号,总延迟为4级门延迟
减法器:
同加法器
乘法器:
实现结构:
优化:
除法器:
实现结构:
优化
集成电路的制造过程
第一阶段:硅 硅锭
第二阶段:硅锭切割 晶圆
第三阶段:光刻胶 光刻
第四阶段:溶解光刻胶 蚀刻 清除光刻胶
第五阶段:再次光刻 离子注入 清除光刻胶
第六阶段:覆盖绝缘体并蚀刻孔洞 电镀 形成铜层
第七阶段:抛光 金属层
第八阶段:晶圆测试 晶圆切片 丢弃瑕疵内核
第九阶段:从晶圆切下单个CPU裸片 封装
第十阶段:等级测试 装箱